????????????????????專注于:3D打印機(jī)開關(guān)電源/設(shè)備開關(guān)電源的定制生產(chǎn)廠家?
郎女士：
座 機(jī)：
我們都知道開關(guān)電源之MOS管隨著漏源電壓不斷增大，當(dāng)達(dá)到夾斷電壓時(shí)，溝道厚度在漏極處減薄為零，溝道在漏極處消失，該處只剩下耗盡層，這是所謂的夾斷；漏源電壓繼續(xù)增大，溝道的夾斷點(diǎn)向源極方向運(yùn)動(dòng)，那么在溝道和漏極之間就會(huì)隔著一段耗盡區(qū)，當(dāng)溝道中的電子到達(dá)溝道端頭的耗盡區(qū)邊界時(shí)，會(huì)立即被耗盡區(qū)內(nèi)的強(qiáng)電場(chǎng)掃入漏區(qū)，所以會(huì)有電流的存在。由于開關(guān)電源之MOS管飽和區(qū)電子在耗盡區(qū)內(nèi)的飄移速度已達(dá)到飽和速度，不再隨著電場(chǎng)的增大而增大，所以漏極電流達(dá)到飽和。
當(dāng)漏一源之間接上+ VDS時(shí)，從源一溝道一漏組成的N型半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生了一個(gè)橫向的電位梯度：源區(qū)為零電位，漏區(qū)為+ VIB，而溝道的電位則從源端向漏端逐漸升高。在開關(guān)電源之MOS管飽和區(qū)溝道的不同位置上，溝道厚度不同，源湍最厚，漏端最薄，逐漸升高。
在開關(guān)電源之MOS管飽和區(qū)溝道的不同位置上，溝道厚度不同，源端最厚，漏端最薄，當(dāng)VDS增大到柵一漏電位差VGS= VLS= VGS（rh）時(shí)，漏端預(yù)夾斷。這個(gè)夾斷區(qū)成了漏一源間電流通路上電阻最大的區(qū)。V璐的任何一點(diǎn)增加都必然會(huì)集中降在這里，使預(yù)夾斷區(qū)具有很強(qiáng)的電場(chǎng)。由于現(xiàn)在被夾的只是漏端的一個(gè)小區(qū)域，在預(yù)夾斷區(qū)左邊還有N溝道，這些自由電子仍可在溝道中漂移，在到達(dá)預(yù)夾斷區(qū)時(shí)，就受夾斷區(qū)強(qiáng)電場(chǎng)的吸引，滑入漏區(qū)。所以，在漏端預(yù)夾斷后，漏一源之間仍有漏極電流ID。