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第一點(diǎn)是開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的輸入電阻不同
場(chǎng)效應(yīng)管的直流等效輸入電阻非常高，其阻值可以達(dá)到10九次方歐姆，對(duì)于MOSFET管來(lái)說(shuō)最高可以達(dá)到10十五次方歐姆，鑒于這樣的特點(diǎn)來(lái)說(shuō)由場(chǎng)效應(yīng)管組成的電路功耗都比較小、它的穩(wěn)定性和抗干擾能力都很強(qiáng)，所以現(xiàn)在很多集成芯片中都采用的是場(chǎng)效應(yīng)管組成的集成電路，有的工作電壓可以低到2V以下。

而對(duì)與晶閘管組成的電路來(lái)說(shuō)在輸入直流等效電阻方面它比較低、這樣就決定了它的功耗非常大，抗干擾能力遠(yuǎn)不如場(chǎng)效應(yīng)管，這也就說(shuō)明了晶閘管組成的電路它的穩(wěn)定性也不如場(chǎng)效應(yīng)管。

第二點(diǎn)是開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的作用不同
我們從它們的組成結(jié)構(gòu)可以看出，對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō)它可以放大信號(hào)，因此可以用在放大電路中作為放大器來(lái)用，也可以作為高速電子開(kāi)關(guān)控制負(fù)載的通斷，比如開(kāi)關(guān)電源中的場(chǎng)效應(yīng)管就起到這個(gè)功能，同時(shí)運(yùn)用場(chǎng)效應(yīng)管還可以實(shí)現(xiàn)調(diào)速控制。

從開(kāi)關(guān)電源之晶閘管的工作過(guò)程來(lái)看它不能用來(lái)放大電路的信號(hào)，因此它是不可以作為器放大器來(lái)使用的。一般晶閘管用在整流電路和控制大負(fù)載電路中。當(dāng)它作為電子開(kāi)關(guān)使用時(shí)，其工作頻率也沒(méi)有場(chǎng)效應(yīng)管高，一般只能用在低速控制的場(chǎng)合。

第三點(diǎn)是開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的集成度不同
從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)可以看出它的結(jié)構(gòu)相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，尤其在制造工藝上要比晶閘管簡(jiǎn)單許多，再加上其功耗小，噪聲低同時(shí)熱穩(wěn)定性也很好，抗輻射能力也強(qiáng)。對(duì)于集眾多優(yōu)點(diǎn)于一身的它在大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路中都會(huì)被用到，對(duì)于晶閘管來(lái)說(shuō)就無(wú)法做到這一點(diǎn)。

第四點(diǎn)是開(kāi)關(guān)電源之場(chǎng)效應(yīng)管與晶閘管的“短板”不一樣
場(chǎng)效應(yīng)管在平時(shí)儲(chǔ)存保管的時(shí)候?qū)o電要求非常高，由于MOS管的輸入阻抗非常高，在MOS管不使用的時(shí)候一定要將柵極G、源極S和漏極D這三個(gè)電極短接在一起，這樣可以防止場(chǎng)效應(yīng)管因靜電場(chǎng)的電壓較高使場(chǎng)效應(yīng)管損壞。所以場(chǎng)效應(yīng)管的弱點(diǎn)是對(duì)靜電的要求比較嚴(yán)格。因此我們?cè)诤附訄?chǎng)效應(yīng)管時(shí)所使用的電烙鐵要有外接地線，這樣可以屏蔽掉交流電場(chǎng)，防止場(chǎng)效應(yīng)管遭到損壞，當(dāng)我焊接場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，特別是MOSFET管時(shí)，我都是先把烙鐵的電源斷掉，然后用烙鐵的余熱去焊接場(chǎng)效應(yīng)管。對(duì)于開(kāi)關(guān)電源之晶閘管來(lái)說(shuō)，它的“軟肋”是過(guò)電流的能力比較差，在組成電路時(shí)要設(shè)計(jì)很多的保護(hù)環(huán)節(jié)，使用相對(duì)比較麻煩。